최 회장은 2일 대만 타이베이에서 열린 아시아 최대 정보기술(IT) 박람회 ‘컴퓨텍스 2026’ SK하이닉스 부스에서 “메모리 병목현상은 2030년까지 계속될 것으로 보인다”며 “생산능력 확대를 전속력으로 추진하고 있다”고 말했다.
그는 “새로운 메모리 팹을 건설하려면 막대한 투자가 필요하고 최소 3년이 소요된다”며 “많은 난관에도 불구하고 향후 5년 동안 웨이퍼 생산능력을 두 배로 늘릴 계획”이라고 밝혔다. SK그룹 차원에서 5년 내 웨이퍼 생산능력 2배 확대라는 구체적 증설 목표를 제시한 것이다.
최 회장의 생산능력 확대 발언은 SK하이닉스가 최근 수년간 추진해온 국내외 대규모 투자와 맞물려 있다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X·P&T7, 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등에 투자를 이어가며 AI 메모리 생산 역량 강화에 속도를 내고 있다.
SK하이닉스는 2024년 4월 청주 M15X를 신규 D램 생산기지로 확정하고, 건설비 5조3000억 원을 포함해 장기적으로 20조 원 이상을 투입하겠다는 계획을 밝혔다. M15X는 HBM 등 차세대 D램 생산능력을 확대하기 위한 전공정 생산거점이다. SK하이닉스는 이후 M15X 클린룸을 기존 계획보다 앞당겨 2025년 10월 열었고, 현재 장비를 순차적으로 세팅하고 있다.
후공정 투자도 병행되고 있다. SK하이닉스는 올해 1월 청주 테크노폴리스 산업단지에 19조 원 규모의 첨단 패키징·테스트 시설인 P&T7을 신설하겠다고 발표했다. P&T7은 올 4월 착공해 2027년 말 완공을 목표로 하고 있다. P&T는 전공정 팹에서 생산된 반도체 칩을 최종 제품 형태로 완성하고 품질을 검증하는 후공정 시설이다.
중장기 생산 거점은 용인 반도체 클러스터다. 용인 반도체 클러스터는 경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 약 415만㎡ 부지에 조성되는 대규모 반도체 산업단지다. 이곳에는 SK하이닉스 팹 부지와 반도체 소재·부품·장비 기업 협력화단지, 전력·용수 등 인프라 부지가 함께 들어선다.
SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 계획이며, 첫 번째 팹은 2027년 준공을 목표로 건설 중이다. 업계에서는 클린룸 면적 확대와 장비·원자재 비용 상승 등을 반영할 경우 2050년까지 용인 클러스터 총투자액이 600조 원에 달한다.
최 회장은 엔비디아·TSMC와의 협력 관계도 강조했다. 그는 TSMC와의 협력에 대해 “HBM4 베이스 다이에서 협력하고 있다. 역대 최고의 파트너십을 맺고 있다”고 말했다.
최 회장은 전날 타이베이에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 AI 메모리 분야의 미래 협력 방안을 논의했다. 두 사람은 지난 3월 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 ‘GTC 2026’ 이후 약 3개월 만에 다시 회동했다.
TSMC와의 협력은 단순한 공급망 제휴를 넘어 차세대 HBM 성능을 좌우할 기술 협력 성격이 강하다. HBM 패키지 최하단에 탑재되는 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어하는 역할을 한다. SK하이닉스는 HBM4부터 TSMC의 로직 선단 공정을 활용해 베이스 다이 성능을 높이고, 성능과 전력 효율 등 고객 요구에 맞춘 맞춤형 HBM 경쟁력을 강화한다는 계획이다. SK하이닉스가 TSMC와 베이스 다이 및 CoWoS 기반 패키징 협력을 강화하는 배경이다.
최 회장은 이번 대만 방문 배경으로 AI 인프라 생태계에서 대만 기업들과의 협력 필요성을 꼽았다. 그는 “AI 사업을 확장할수록 더 좋고 더 많은 대만 파트너십이 필요하다. TSMC뿐 아니라 폭스콘, 에이서 등 다양한 파트너를 직접 방문해 향후 협력 방향을 확인하려 한다”고 말했다.
[소비자가만드는신문=정현철 기자]
