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SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 'HBM4E' 12단 샘플 공급…열 저항 17% 개선
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SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 'HBM4E' 12단 샘플 공급…열 저항 17% 개선
  • 곽지우 기자 jiwoo94@csnews.co.kr
  • 승인 2026.06.18 13:40
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SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 공략에 속도를 낸다.

SK하이닉스는 18일 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 회사는 그동안 축적한 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 제품을 개발했으며, 핵심 고객사들과 긴밀한 협업을 통해 적기 양산에 나설 계획이다.

HBM4E는 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 개선한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율을 20% 이상 높였다.

또 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄여 AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능을 강화했다고 회사는 설명했다.

제품에는 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했으며, HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계했다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E까지 고객 요구에 맞춘 AI 메모리 제품군을 확대하며 차세대 AI 인프라 시장 대응에 나설 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.

HBM은 AI 가속기에 탑재되는 핵심 메모리로, GPU와 함께 대규모 언어모델(LLM) 학습과 추론 과정에서 방대한 데이터를 초고속으로 처리하는 역할을 한다. 생성형 AI 확산과 글로벌 빅테크 기업들의 AI 인프라 투자 확대에 따라 차세대 HBM 수요도 빠르게 증가하는 추세다.

최근 메모리 업계는 HBM4를 잇는 HBM4E 개발과 고객사 공급 경쟁을 본격화하고 있다. 삼성전자도 지난달 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급한 가운데, SK하이닉스 역시 이번 샘플 공급을 통해 고객사 평가와 양산 준비에 속도를 내며 차세대 AI 메모리 시장 경쟁력을 강화한다는 전략이다.

SK하이닉스는 지난 5월 말 발열 잡는 메모리 설루션 ‘iHBM’ 기술을 공개하기도 했다. HBM 패키지에 일체형 냉각 요소 ‘ICE’를 내재해 발열을 낮추는 기술이다.

SK하이닉스 측은 AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공하며 AI 메모리 리더십을 공고히 해 나갈 방침이다.

[소비자가만드는신문=곽지우 기자]


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